广东定制开发射频功率放大器电话多少 能讯通信科技供应

    本申请实施例涉及但不限于射频前端电路，尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术：射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求发射功率可调，当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时，就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中，对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出，其动态范围要达到35～40db，并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节，但是反馈电路只能增加或减少增益，而不能实现负增益，无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素：有鉴于此，本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种射频功率放大器电路，应用于终端，包括：依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路，广东定制开发射频功率放大器电话多少、功率放大电路和输出匹配电路，与所述驱动放大电路跨接的反馈电路；所述可控衰减电路，用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号，广东定制开发射频功率放大器电话多少，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换；所述输入匹配电路，广东定制开发射频功率放大器电话多少。射频放大器的稳定性问题非常重要，是保证设备安全可靠运行的必要条件。广东定制开发射频功率放大器电话多少

    宽带性能一致性差，谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa，采用变压器及其输入输出匹配电容，输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好，可以实现宽带一致的阻抗变换；缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中，高频点插损较大。在本发明实施例中，通过增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。本发明实施例提供了一种射频功率放大器，参照图1。在本发明实施例中，射频功率放大器可以包括：功率放大单元(powercell)、功率合成变压器以及匹配滤波电路。在具体实施率放大单元可以包括两个输入端以及两个输出端。江苏超宽带射频功率放大器生产厂家射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。

    此时信号将产生非线性，其功率需要小于-10dbm才能实现线性输出，此时射频功率放大器电路的线性增益为-10db，因此，其线性输出功率范围为：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等级的交叠，这是窄带物联网技术平台的要求，这样可保证应用端配置的灵活性。比如同样功率等级下，选择耗电小的功率模式等。这样发射信号功率即输出功率覆盖了-45dbm到，总共，可满足广域的信号覆盖要求。参见图1a和图1b，在射频功率放大器电路已经加强负反馈基础上(引入负反馈电路)，调节各级晶体管的偏置电路(例如调节t2和t4漏极的偏置电流，或者调节t3和t5漏极的偏置电压)，再在输入匹配电路之前引入可控衰减电路，可以进一步降低增益。从理论来讲，可控衰减电路通过设计可以满足负增益的需求。这里，可控衰减电路需要考虑尽量降低其对放大器输入匹配电路的影响，它好可以与输入匹配电路的设计融合。另外，需要射频功率放大器电路在没有处于负增益工作模式下时，具有适当的射频传导功率容量和静电保护能力(electro-staticdischarge，esd)。本申请实施例提供一种射频功率放大器电路，如图2所示，与图1a相比，在输入端口和输入匹配电路之间插入可控衰减电路。

    实现射频功率放大器电路处于负增益模式；其中，偏置电路与驱动放大电路连接，第二偏置电路与功率放大电路连接。其中，如图7所示，偏置电路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、电流源ib、电压源vg、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第九电阻r9、第二电容c2、第七电容c7、第十二电容c12、第十三电容c13。第二mos管的漏极电流偏置电路由电流源、第六mos管、第六电阻、第七电阻和第十二电容按照图7所示连接而成。第六电阻、第七电阻和第十二电容组成的t型网络，可以起到隔离输入信号的作用。第二mos管的宽长比w/l是第六mos管的宽长比的c(c远大于1)倍，因此第二mos管的漏极偏置电流近似为电流源的c倍，实现了电流放大。电流源存在多个可调节档位，通过微处理器发出的第三控制信号和第四控制信号，控制电流源档位的切换，可切换第二mos管的漏极电流，从而调节驱动放大电路的放大倍数。第三mos管t3的栅极电压偏置电路由电压源vg、第八电阻r8、第九电阻r9和第十三电容c13按照图7所示连接而成。第八电阻、第九电阻和第十三电容组成的t型网络，可起到隔离第三mos管栅极的射频电压摆幅的作用。电压源存在多个可调节档位。功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。

    射频功率放大器的关闭状态的电阻值即射频功率放大器自身的电阻值；检测到射频功率放大器开启时，其匹配电阻生效，射频功率放大器的开启状态的电阻值即匹配电阻的电阻值。匹配电阻跟射频功率放大器可以连接，将射频功率放大器的控制端接入匹配电阻的控制端；匹配电阻跟射频功率放大器也可以不连接，直接将匹配电阻设置在射频功率放大器的内部。其中，射频功率放大器的状态对应的电阻值存储在移动终端的存储器，计算出射频功率放大器的电阻值后，可根据存储器存储的对应关系得知射频功率放大器的状态。102、计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如，预先将射频功率放大器的输出端同步连接到射频功率放大器检测模块，在移动终端进行频段切换时，通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值，从而获取此时射频功率放大器的状态。每个射频功率放大器对应连接一个射频功率放大器检测模块。其中，设置一个计算电阻r0，计算电阻r0的一端与电源电压vdd相连，计算电阻r0的另一端与射频功率放大器的一端相连，多个射频功率放大器并联，射频功率放大器的另一端与接地端相连，计算电阻r0与射频功率放大器的连接之间设置处理器。其中。对整个放大器进行特性分析如果特性不满足预定要求，具 体电路则用多级阻抗变换，短截线等微带线电路来实现。四川定制开发射频功率放大器检测技术

GaN作为功率放大器中具有优良材料 的宽带隙半导体材料之一被誉为第5代半导体在微电应用领域存 在的应用.广东定制开发射频功率放大器电话多少

    P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685APAP129431/3219/22145/215APAP10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估计大部分国内的读者没有用过RFIC的芯片，笔者也只是看到一些国外的产品在用。没有Datasheet，也没有BriefIntroduction，只能从官网上了解到部分数据，其中EPM2428是**高的型号，其典型参数为：64QAM情况下可达28dBm@EVM=3%11b情况下可达32dBm，满足频谱模板效率可达20%@28dBm增益可达34dB片上输入/输出匹配RFMDRFMD（与TriQuint合并以后称为Qorvo，但笔者还是喜欢称之为RFMD，Qrovo实在是太拗口了）作为一家老牌的射频器件厂商，相信有些读者比我更了解，但笔者还是决定对RFMD做个简单介绍；RFMicroDevices公司（简称RFMD）是全球的高性能射频元件和化合物半导体技术的设计和制造商。RFMD的产品可用于蜂窝手机，无线基础设施，无线局域网络（WLAN），CATV/宽频及航空航天和国防市场，提供增强的连接性，并支持先进的功能。RFMD凭借其多样化的半导体技术以及RF系统专业技能，成为世界的移动设备，客户端和通讯设备制造商的优先供应商。广东定制开发射频功率放大器电话多少

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