使射频功率放大器电路实现负增益模式。可见,浙江定制开发射频功率放大器价格多少,通过微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏级电流、第三mos管和第五mos管的门级电压,进而可调节驱动放大电路和功率放大电路的放大倍数,从而实现对射频功率放大器电路的增益的线性调节。根据上述实施例可知,若需要使射频功率放大器电路为非负增益模式,需要微控制器控制开关关断,控制第二开关关断,控制偏置电路使第二mos管的漏级电流和第三mos管的栅级电压均变大,控制第二偏置电路使第四mos管的漏级电流和第五mos管的栅级电压均变大。其中,第二开关关断时,反馈电路的放大系数af较大,有助于输入信号的放大,偏置电路和第二偏置电路中漏极电流、门极电压、漏级供电电压较大,也有助于输入信号的放大,开关关断,则可控衰减电路被隔离开,浙江定制开发射频功率放大器价格多少,对输入信号的影响较小,通过这样的控制,可以实现输入信号的放大。当射频功率放大器电路的输出功率(较大)确定后,微处理器可以进一步得到其输入功率和增益值,微处理器对输入功率进行调节,控制电压信号vgg,浙江定制开发射频功率放大器价格多少,使开关关断,控制第二开关关断,通过控制偏置电路和第二偏置电路中的内部电流源和内部电压源,并对漏级供电电压vcc进行控制,从而使偏置电路中漏级电流、栅级电压变小。射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。浙江定制开发射频功率放大器价格多少
微控制器控制第五一开关导通、第五二开关关断,此时可实现低增益;微控制器控制第五一开关和第五二开关均导通,此时反馈电路的等效电阻小,可实现负增益。在一些实施例中,当射频放大器电路的高增益为30db左右,低增益为15db左右,负增益为-10db左右时,可设置第五三电阻的阻值为5kω,第五一电阻的电阻为1kω,第五二电阻的电阻为100ω。需要说明的是,本实施例对反馈电路的具体形式不做限定。可见,通过控制反馈电路中第二开关的通断,可以改变射频功率放大器电路的增益大小,实现增益的大范围调节。在一个可能的示例中,级间匹配电路104包括:第三电感l3、第七电容c7和第八电容c8,其中:第三电感的端连接第三mos管的漏级,第三电感的第二端连接第二电压信号和第七电容的一端,第七电容的端连接第二电压信号,第七电容的第二端接地,第八电容的端连接第三mos管的漏级。其中,第二电压信号为vcc。在本申请实施例中,考虑到级间匹配电路的复杂性,将级间匹配电路简化为用第三电感、第七电容和第八电容表示。在一个可能的示例率放大电路105包括:第四mos管t4、第五mos管t5和第九电容c9,其中:第四mos管的栅级与第八电容的第二端连接。陕西定制开发射频功率放大器联系电话射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的中心。
横坐标为输出功率pout,曲线41对应自适应动态偏置电路提供给共栅放大器的栅极偏置电压,曲线42对应自适应动态偏置电路提供给共源放大器的栅极偏置电压。图5示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器对应的imd3(thirdorderintermodulation,三阶互调)曲线图51,以及现有的射频功率放大器对应的imd3曲线图52,根据曲线51和曲线52,可以看出本申请实施例提供的高线性射频功率放大器的imd3得到了提高(增幅为△imd3),横坐标为输出功率pout。显然,上述实施例是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
经过数十年的发展,GaN技术在全球各大洲已经普及。市场的厂商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed(Cree科锐旗下)、Qorvo,以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺,GaN技术的外延工艺要重要的多,会影响其作用区域的品质,对器件的可靠性产生巨大影响。这也是为什么目前市场的厂商都具备很强的外延工艺能力,并且为了维护技术秘密,都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。GaN-on-SiC更具有优势。尽管如此,Fabless设计厂商通过和代工合作伙伴的合作,发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系以及销售渠道,NXP和Ampleon等厂商或将改变市场竞争格局。同时,目前市场上还存在两种技术的竞争:GaN-on-SiC(碳化硅上氮化镓)和GaN-on-Silicon(硅上氮化镓)。它们采用了不同材料的衬底,但是具有相似的特性。理论上,GaN-on-SiC具有更好的性能,而且目前大多数厂商都采用了该技术方案。不过,M/A-COM等厂商则在极力推动GaN-on-Silicon技术的应用。未来谁将主导还言之过早,目前来看,GaN-on-Silicon仍是GaN-on-SiC解决方案的有力挑战者。全球GaN射频器件产业链竞争格局GaN微波射频器件产品推出速度明显加快。射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。
本申请实施例涉及但不限于射频前端电路,尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术:射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求发射功率可调,当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节,但是反馈电路只能增加或减少增益,而不能实现负增益,无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素:有鉴于此,本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的:本申请实施例提供一种射频功率放大器电路,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路、功率放大电路和输出匹配电路,与所述驱动放大电路跨接的反馈电路;所述可控衰减电路,用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路。由于微波固态功率放大器输出功率较大,很小的功率泄漏都会对周围电路的 工作产生较大影响。重庆低频射频功率放大器报价
微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。浙江定制开发射频功率放大器价格多少
包括:功率放大单元、功率合成变压器以及匹配滤波电路,其中:所述功率放大单元,输入端输入差分信号,第二输入端输入第二差分信号,输出端输出经过放大的差分信号,第二输出端输出经过放大的第二差分信号;所述功率合成变压器,包括初级线圈以及次级线圈;所述初级线圈的输入端输入所述经过放大的差分信号,第二输入端输入所述经过放大的第二差分信号;所述次级线圈包括主次级线圈以及辅次级线圈,所述主次级线圈的端接地,第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接;所述辅次级线圈,端与所述主次级线圈的第二端耦接,第二端与输出端匹配滤波电路耦接;所述匹配滤波电路,包括输入端匹配滤波电路以及所述输出端匹配滤波电路;所述输入端匹配滤波电路,与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率合成变压器的第二输入端均耦接;所述输出端匹配滤波电路,耦接在所述辅次级线圈的第二端与地之间。可选的,所述输入端匹配滤波电路包括:子滤波电路以及第二子滤波电路,其中:所述子滤波电路,端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接,第二端接地;所述第二子滤波电路,端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接。浙江定制开发射频功率放大器价格多少
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