经过数十年的发展,GaN技术在全球各大洲已经普及,天津使用射频功率放大器技术。市场的厂商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed(Cree科锐旗下)、Qorvo,以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺,GaN技术的外延工艺要重要的多,会影响其作用区域的品质,对器件的可靠性产生巨大影响。这也是为什么目前市场的厂商都具备很强的外延工艺能力,并且为了维护技术秘密,都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。GaN-on-SiC更具有优势。尽管如此,Fabless设计厂商通过和代工合作伙伴的合作,发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系以及销售渠道,NXP和Ampleon等厂商或将改变市场竞争格局。同时,天津使用射频功率放大器技术,目前市场上还存在两种技术的竞争:GaN-on-SiC(碳化硅上氮化镓)和GaN-on-Silicon(硅上氮化镓)。它们采用了不同材料的衬底,但是具有相似的特性,天津使用射频功率放大器技术。理论上,GaN-on-SiC具有更好的性能,而且目前大多数厂商都采用了该技术方案。不过,M/A-COM等厂商则在极力推动GaN-on-Silicon技术的应用。未来谁将主导还言之过早,目前来看,GaN-on-Silicon仍是GaN-on-SiC解决方案的有力挑战者。全球GaN射频器件产业链竞争格局GaN微波射频器件产品推出速度明显加快。乙类工作状态:功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流,即导 通角0为180度.对于AM。天津使用射频功率放大器技术
RF)微波和毫米波应用,设计和开发高性能集成电路、模块和子系统。这些应用包括蜂窝、光纤和卫星通信,以及医学及科学成像、工业仪表、航空航天和防务电子。凭借近30年的经验和创新实践,Hittite在模拟、数字和混合信号半导体技术领域有着深厚的积淀,从器件级到完整子系统的设计和装配,覆盖面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.(ADI)收购合并。但笔者还是更喜欢Hittite作为射频微波器件的名称,所以暂不更改称呼^_^。笔者本人并没用用过Hittite的WiFiPA,倒是用过其他频段GainBlock和PA,查找其官方网站,似乎也只有一款PA适用于WiFi行业,HMC408,其性能如下。MicrochipMicrochip(2010年收购了SST)是全球的单片机和模拟半导体供应商,为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的产品上市时间。Mircrochip的WiFiPA常见于Mediatek(Ralink)的参考设计。定制开发射频功率放大器系列AM失真,它与晶体管是否工作于饱和区密切相关。
以对输入至功率合成变压器的信号进行对应的匹配滤波处理。在具体实施中,子滤波电路可以包括电容c1,电容c1的端可以与功率合成变压器的输入端以及功率放大单元的输入端耦接,第二端可以接地。在本发明实施例中,为提高谐波滤波性能,子滤波电路还可以包括电感l1,电感l1可以设置电容c1的第二端与地之间。参照图2,给出了本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图。图2中,子滤波电路包括电感l1以及电容c1,电感l1串联在电容c1的第二端与地之间。在具体实施中,第二子滤波电路可以包括第二电容c2,第二电容c2的端可以与功率合成变压器的第二输入端以及功率放大单元的第二输入端耦接,第二端可以接地。在本发明实施例中,为提高谐波滤波性能,第二子滤波电路还可以包括第二电感l2,第二电感l2可以设置第二电容c2的第二端与地之间。继续参照图2,第二子滤波电路包括第二电感l2以及第二电容c2,第二电感l2串联在第二电容c2的第二端与地之间。在具体实施中,串联电感的到地电容和该电感的谐振频率可以在功率放大单元的二次谐波频率附近。也就是说,当子滤波电路包括电容c1以及电感l1时,电容c1与电感l1的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。相应地。
比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等;至于终端还可配置的陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器,在此不再赘述。音频电路406、扬声器,传声器可提供用户与终端之间的音频接口。音频电路406可将接收到的音频数据转换后的电信号,传输到扬声器,由扬声器转换为声音信号输出;另一方面,传声器将收集的声音信号转换为电信号,由音频电路406接收后转换为音频数据,再将音频数据输出处理器408处理后,经rf电路401以发送给比如另一终端,或者将音频数据输出至存储器402以便进一步处理。音频电路406还可能包括耳塞插孔,以提供外设耳机与终端的通信。wifi属于短距离无线传输技术,移动终端通过wifi模块407可以帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等,它为用户提供了无线的宽带互联网访问。虽然图4示出了wifi模块407,但是可以理解的是,其并不属于移动终端的必须构成,完全可以根据需要在不改变发明的本质的范围内而省略。处理器408是移动终端的控制中心,利用各种接口和线路连接整个手机的各个部分,通过运行或执行存储在存储器402内的软件程序和/或模块,以及调用存储在存储器402内的数据。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。
在这些年的WiFi产品开发中,接触了多种型号的射频功率放大器(以下简称PA),本文对WiFi产品中常用的射频功率放大器做个汇总,供读者参考。本文中部分器件型号是FrontendModule,即包含内PA,LNA,Switch,按不同厂牌对PA进行介绍,按照厂牌字母顺序进行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年,率先开创制造高容量、低成本、高性能的砷化镓集成电路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信产品供应商。ANADIGICS为不断发展的无线宽带与无线通信市场,设计、制造射频集成电路(RFIC)解决方案。公司创新的高频率RFIC,能使通信设备制造商提高整体系统性能、减少产品的体积及重量、提高电源效率、提高稳定性、并降造成本及制程时间。PartNumberFrequencySupply(V)GainP1dBEVM@54MbpsAWL6951b/g:–b/g:32b/g:27g:a:–a:29a:a:AWL9224–3–3227b:meetsACPR@+23dBmg:AWL9555–+2926-33dB@Pout=+19dBm-36dB@Pout=+5dBmAWL6153–3–528313%@Pout=+25dBmAWL6950–3–b/g:3225g:–a:33a:本文*给出ANADIGICS的**高规格WiFiPAAWL6153的性能指标,如下图。Avago这是一家从Agilent(现拆分为Agilent+Keysight)中分离出来的半导体公司,拥有50年的技术创新传统。多年来。射频功率放大器器件放大管基本上由氮化镓,砷化镓,LDMOS管电路运用。定制开发射频功率放大器系列
输出匹配电路主要应具备损耗低,谐波抑制度高,改善驻波比,提高输出功 率及改善非线性等功能。天津使用射频功率放大器技术
第七电感l7与第五电容c5组成谐振电路。在具体实施中,射频功率放大器还可以包括驱动电路。驱动电路的输入端可以接收输入信号,驱动电路的输出端可以输出差分信号input_p,驱动电路的第二输出端可以输出第二差分信号input_n。驱动电路可以起到将输入信号进行差分的操作,并对输入信号进行驱动,提高输入信号的驱动能力。参照图7,给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。在图7中,增加了驱动电路。可以理解的是,在图1~图6中,也可以通过驱动电路来对输入信号进行差分处理,得到差分信号input_p以及第二差分信号input_n。在具体实施中,匹配滤波电路还可以包括功率合成变压器对应的寄生电容,功率合成变压器对应的寄生电容包括初级线圈与次级线圈之间的寄生电容,该寄生电容可以参与功率合成和阻抗转换。宽带变压器的阻抗变换主要受匝数比、耦合系数k值和寄生电感电容的影响,具有宽带工作的特点,相对于lc网络的阻抗变换网络更容易实现宽带的阻抗变换,因此适用于宽带功率放大器。应用于高集成度射频功率放大器的宽带变压器,因为受实现工艺的影响,往往k值比较小(k值较小会影响能量耦合,即信号转换效率变低),寄生电感电容影响比较大。天津使用射频功率放大器技术
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