因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到300mhz以上,相对带宽可达到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,湖南宽带射频功率放大器值得推荐,湖南宽带射频功率放大器值得推荐,如图5b所示,在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2,增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例提供的技术方案的有益效果在于:通过在信号的输入端设计可控衰减电路,在实现功率放大器增益负增益的同时,对高增益模式性能的影响很小,并且加强了对rfin端口的esd保护。该电路结构简洁,湖南宽带射频功率放大器值得推荐,对芯片面积占用小,能降低硬件成本。在本申请实施例提供的射频功率放大器电路中,反馈电路中可以用于切换的电阻有多种,例如当射频功率放大器电路需要实现三档增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,负增益-10db左右。此时,反馈电路如图6所示,c51、c52、c53和c54是1pf~2pf范围的电容。电阻r53大于r51大于r52。由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。湖南宽带射频功率放大器值得推荐
ProductGainLinearPowerVoltageFrequencySST12CP113425–5–SST12CP11C3725––SST12CP123425––SST12CP213725––SST12CP333925––SST12LP0729––SST12LP07A28––SST12LP07E3020––SST12LP083020––SST12LP08A29––SST12LP143020––SST12LP14A2921––SST12LP14C3220––SST12LP14E2319––SST12LP153523––SST12LP15A3222––SST12LP15B3222––SST12LP17A28––SST12LP17B2619––SST12LP17E2918––SST12LP18E2518––SST12LP19E25––SST12LP2030183––SST12LP222719––SST12LP252719––SST11CP15–––SST11CP15E26–29––SST11CP1630––SST11CP223120––SST11LP1228-3420––SST11LF043018––SST11LF052817––SST11LF082817––SST12LF012919––SST12LF0229––SST12LF0328193––SST12LF092417––不难看出,Microchip的WiFiPA以低功率为主,*在。不得不说,Mircochip的PA命名方式让笔者感到困惑,很难从型号本身猜到其性能指标。本文给出笔者曾经用过的SST12CP11的性能指标,如下图,还是很不错的。MicrosemiMicrosemiCorporation总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。江苏EMC射频功率放大器供应商射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。
是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电气连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外,下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成就可以相互结合。请参考图1,其示出了本申请实施例提供的一种高线性射频功率放大器的结构示意图。该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路。自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的输出栅极偏置电压。功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端rfin。
本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图;图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图;图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述,现有技术中,采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa,只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单,缺点是难以实现宽带功率放大器。在所有微波发射系统中,都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平,以实现信号的发射。
在这些年的WiFi产品开发中,接触了多种型号的射频功率放大器(以下简称PA),本文对WiFi产品中常用的射频功率放大器做个汇总,供读者参考。本文中部分器件型号是FrontendModule,即包含内PA,LNA,Switch,按不同厂牌对PA进行介绍,按照厂牌字母顺序进行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年,率先开创制造高容量、低成本、高性能的砷化镓集成电路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信产品供应商。ANADIGICS为不断发展的无线宽带与无线通信市场,设计、制造射频集成电路(RFIC)解决方案。公司创新的高频率RFIC,能使通信设备制造商提高整体系统性能、减少产品的体积及重量、提高电源效率、提高稳定性、并降造成本及制程时间。PartNumberFrequencySupply(V)GainP1dBEVM@54MbpsAWL6951b/g:–b/g:32b/g:27g:a:–a:29a:a:AWL9224–3–3227b:meetsACPR@+23dBmg:AWL9555–+2926-33dB@Pout=+19dBm-36dB@Pout=+5dBmAWL6153–3–528313%@Pout=+25dBmAWL6950–3–b/g:3225g:–a:33a:本文*给出ANADIGICS的**高规格WiFiPAAWL6153的性能指标,如下图。Avago这是一家从Agilent(现拆分为Agilent+Keysight)中分离出来的半导体公司,拥有50年的技术创新传统。多年来。微波功率放大器的输出功率主要有两个指标:饱和输出功率;ldB压缩点输出功率。天津超宽带射频功率放大器系列
功放中使用电感器一般有直线电感、折线电感、单环电感和螺旋电感等。在射频/微波 IC中一般用方形螺旋电感。湖南宽带射频功率放大器值得推荐
包括但不限于全球移动通讯系统(gsm,globalsystemofmobilecommunication)、通用分组无线服务(gprs,generalpacketradioservice)、码分多址(cdma,codedivisionmultipleaccess)、宽带码分多址(wcdma,widebandcodedivisionmultipleaccess)、长期演进(lte,longtermevolution)、电子邮件、短消息服务(sms,shortmessagingservice)等。存储器402可用于存储软件程序以及模块,处理器408通过运行存储在存储器402的软件程序以及模块,从而执行各种功能应用以及数据处理。存储器402可主要包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等;存储数据区可存储根据移动终端的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外,存储器402可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。相应地,存储器402还可以包括存储器控制器,以提供处理器408和输入单元403对存储器402的访问。在本申请实施例中,存储器402用于存储射频功率放大器的初始状态电阻值,配置状态电阻值以及射频功率放大器检测模块的电阻值。湖南宽带射频功率放大器值得推荐
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