湖北自动化射频功率放大器检测技术 能讯通信科技供应

    功率放大器通过匹配网络连接射频输出端rfout，湖北自动化射频功率放大器检测技术。自适应动态偏置电路的输入端连接射频输入端rfin，自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器中的共源共栅放大器。其中，自适应动态偏置电路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干电容和电阻组成。可选的，自适应动态偏置电路的输入端通过匹配网络连接射频输入端。自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器源放大器的栅极和共栅放大器的栅极。通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器源共栅放大器的栅极偏置电压，提高了射频功率放大器的线性度。图2示出了本申请一实施例提供的自适应动态偏置电路的电路原理图。如图2所示，在自适应动态偏置电路中，nmos管mn17的栅极为自适应动态偏置电路的输入端rfin_h。nmos管mn17的漏极连接pmos管mp04的源极，湖北自动化射频功率放大器检测技术。nmos管mn17的漏极和pmos管mp04之间hia连接有并联的电容c17和电阻r12。nmos管mn17的漏极接电源电压vdd，pmos管mp04的源极接电源电压vdd。nmos管mn17的源极接地，pmos管mp04的漏极通过并联的电容c18和电阻r16接地。第二nmos管mn18的漏极与第二pmos管mp01的漏极连接。第二nmos管mn18的源极接地。具体地，湖北自动化射频功率放大器检测技术，第二nmos管mn18的源极通过电阻r14接地。第二pmos管mp01的源极接电源电压vdd。谐波抑制，功率放大器的非线性特性使输出包含基波信号同时在各项谐波幅度大小与信号大小呈一定的比例关系。湖北自动化射频功率放大器检测技术

    因为栅长l固定，因此可以通过设计栅宽w得到寄生电阻大小为ron的mos管。寄生电容coff＝fom/ron，fom为半导体工艺商提供的参数，单位为fs(飞秒)，在寄生电阻ron确定后，可确定寄生电容coff的大小，如此，即可确定可控衰减电路中开关的相关参数。在一个可能的示例中，可控衰减电路包括电阻、备用电阻rn、电感、开关和备用开关tn，开关的栅级与电阻的端连接，电阻的第二端连接电压信号，开关的漏级与备用开关的源级连接，开关的源级接地，备用开关的栅级连接备用电阻的端，备用电阻的第二端连接电压信号，备用开关的漏级连接电感的端，电感的第二端连接输入信号；其中，开关和备用开关，用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态，以使可控衰减电路处于无衰减状态，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态，以使可控衰减电路处于衰减状态，实现射频功率放大器电路处于负增益模式；其中，控制信号为具有电压值的电压信号，第二控制信号为具有第二电压值的电压信号，电压值与第二电压值不同。其中，为进一步提高耐压能力和静电保护能力，可采用如图9所示的可控衰减电路，将第二电阻替换成备用开关和备用电阻。北京EMC射频功率放大器价格多少阻抗匹配，关系到功率放大器的稳定性、增益；输出功率、带内平坦度、噪声、谐波、驻波、线性等一系列指标 。

    RF)领域成为全球的IC供货商。立积电子的产品主要分为两个产品线：一是射频技术相关的收发器，另一个是射频前端的相关射频组件。Richwave的WiFiPA多见于Mediatek（Ralink）的参考设计，众所周知，中国台湾半导体厂商喜欢在参考设计中选用中国台湾的半导体器件，无源器件，这是促进本土经济技术发展的有效手段。与RFaxis类似，Richwave官方网站也同样没有PA的汇总数据，只能看到其全部型号列表。笔者在早期的WiFi产品设计中试用过Richwave的RTC6691，其性能指标如下图所示。SkyworksSkyworks（于2011年收购了SiGe）同样是一家老牌射频半导体厂商，是高可靠性混合信号半导体的创新者。凭借其技术，Skyworks提供多样化的标准及定制化线性产品，以支持汽车、宽带、蜂窝式架构、能源管理、工业、医疗、国防和移动电话设备。产品系列包括放大器、衰减器、侦测器、二极管、定向耦合器、射频前端模组、混合电路、基础设施射频子系统、/解调器、移相器、PLL/合成器/VCO、功率分配器/结合器、接收器、切换器和高科技陶瓷器件。Skyworks同样具有种类齐全的WiFiPA产品线，在近期的QualcommAtheros的参考设计中，几乎全部使用了Skyworks的WiFiPA/FEM。

    是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成就可以相互结合。请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种高线性射频功率放大器的结构示意图。该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路。自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的输出栅极偏置电压。功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端rfin。根据晶体管的增益斜率和放大器增益要求，确定待综合匹配网络的衰减斜 率、波纹、带宽，并导出其衰减函数。

    控制信号vgg通过电阻与开关连接，同时通过备用电阻与备用开关连接。备用电阻的参数与电阻的参数相同，二者都是作为上拉电阻给开关供电。备用开关的参数与开关的参数相同，开关和备用开关的寄生电阻皆为单开关的寄生电阻值ron的一半，因此双开关的整体寄生电阻值与单开关的寄生电阻值相同。开关和备用开关的控制逻辑相同：非负增益模式下，开关和备用开关同时关断；负增益模式下，开关和备用开关同时打开，不需要考虑电阻r1和备用电阻rn。其中，开关和备用开关均为n型mos管，其具体的类型可以是绝缘体上硅mos管，也可以是平面结构mos管。可见，在本申请实施例中，因为使用了叠管设计，将开关和备用开关叠加，使得mos管的耐压能力和静电释放能力提升，相对于单mos管，能在大电流下更好的保护开关和备用开关，使其不被损坏。在一个可能的示例中，输入匹配电路101包括第三电阻r3、电容c1和第二电感l2，第二电感的端连接第二电阻的第二端，第二电感的第二端连接电容的端，电容的第二端连接第三电阻的端。在图9中，假设输入端的输入阻抗zin＝r0-jx0，可控衰减电路的等效阻抗为z20＝r20+jx20，输入匹配电路的等效阻抗为z30＝r30+jx30，为了实现z20和zin的共轭匹配。微波功率放大器的输出功率主要有两个指标：饱和输出功率；ldB压缩点输出功率。湖北自动化射频功率放大器检测技术

发射机的前级电路中调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，必须必采用高增益大功率射频功率放大器。湖北自动化射频功率放大器检测技术

    横坐标为输出功率pout，曲线41对应自适应动态偏置电路提供给共栅放大器的栅极偏置电压，曲线42对应自适应动态偏置电路提供给共源放大器的栅极偏置电压。图5示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器对应的imd3(thirdorderintermodulation，三阶互调)曲线图51，以及现有的射频功率放大器对应的imd3曲线图52，根据曲线51和曲线52，可以看出本申请实施例提供的高线性射频功率放大器的imd3得到了提高(增幅为△imd3)，横坐标为输出功率pout。显然，上述实施例是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。湖北自动化射频功率放大器检测技术

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